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  • 檢索結果:共3筆資料 檢索策略: "a-Si:H".ekeyword (精準) and ckeyword.raw="鈍化"


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    以超高頻電漿輔助化學氣相沉積法製備矽晶異質接合太陽電池元件之研究
    • 化學工程系 /99/ 碩士
    • 研究生: 馮詩翰 指導教授: 洪儒生
    • 本研究係以超高頻電漿輔助化學氣相沉積系統(VHF-PECVD)製備本質氫化非晶矽膜層用於鈍化單晶矽基材,研究重點之一為與射頻電漿輔助化學氣相沉積系統(RF-PECVD)製備氫化非晶矽膜層來作比較外,…
    • 點閱:202下載:3
    • 全文公開日期 2016/07/30 (校內網路)
    • 全文公開日期 本全文未授權公開 (校外網路)
    • 全文公開日期 本全文未授權公開 (國家圖書館:臺灣博碩士論文系統)

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    以氫化非晶氧化矽膜層作為矽晶異質接合太陽能電池鈍化層的效應探討
    • 化學工程系 /101/ 碩士
    • 研究生: 石峻宇 指導教授: 洪儒生
    • 本論文乃以未來世代高效率矽晶太陽能電池的技術發展為議題,針對矽晶太陽能電池製作可能的矽晶異質接合,依據實驗室既有的以本質氫化非晶矽為鈍化層的矽晶異質接合太陽能電池η = 19.6 %、Voc = 6…
    • 點閱:594下載:4
    • 全文公開日期 2018/08/05 (校內網路)
    • 全文公開日期 本全文未授權公開 (校外網路)
    • 全文公開日期 本全文未授權公開 (國家圖書館:臺灣博碩士論文系統)

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    低溫鋁擴散進入非晶矽形成P型層的技術及其在矽晶異質接合太陽能電池的製作應用
    • 化學工程系 /100/ 碩士
    • 研究生: 沈子堯 指導教授: 洪儒生
    • 本研究係利用一低溫鋁擴散於非晶矽膜層使其形成p型多晶矽層之技 術,作為矽晶異質接合太陽電池製作之應用。以此技術製備p型膜層的實 驗結顯示,沉積厚度為30nm的非晶矽層與20nm厚的濺鍍鋁層接觸並經 …
    • 點閱:182下載:2
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